柔性倒置赝型三结太阳电池高能质子辐射效应研究

TL814; 为考察柔性薄膜GaInP/GaAs/InGaAs倒赝型三结(IMM3J)太阳电池的抗辐照性能,本文对其进行了1、3、5 MeV高能质子辐照.SRIM模拟结果表明,1、3、5 MeV质子辐照在IMM3J电池中造成均匀的位移损伤.光特性(LIV)结果表明,开路电压(Voc)、短路电流(Isc)和最大输出功率(Pmax)与质子注量呈对数退化规律.通过非电离能量损失(NIEL)将不同能量质子的注量转化为位移损伤剂量(DDD),结果显示,Voc和Pmax与DDD呈对数退化规律,而fsc遵循两种不同的退化规律.光谱响应测试证明,GaInP子电池具有优异的抗辐照性能,3个子电池中InGaAs(...

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Published in原子能科学技术 Vol. 55; no. 12; pp. 2216 - 2223
Main Authors 张延清, 周佳明, 刘超铭, 施祥蕾, 杨洋, 焦小雨, 孙利杰, 王训春, 肖立伊, 王天琦, 霍明学
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院,黑龙江哈尔滨150001%上海空间电源研究所空间电源技术重点实验室,上海200245%哈尔滨工业大学微电子中心,黑龙江哈尔滨150001 2021
Subjects
radiation effect
IMM3J solar cell
displacement damage dose
IMM3J太阳电池;辐射效应;位移损伤剂量
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ISSN1000-6931
DOI10.7538/yzk.2021.youxian.0543

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Summary:TL814; 为考察柔性薄膜GaInP/GaAs/InGaAs倒赝型三结(IMM3J)太阳电池的抗辐照性能,本文对其进行了1、3、5 MeV高能质子辐照.SRIM模拟结果表明,1、3、5 MeV质子辐照在IMM3J电池中造成均匀的位移损伤.光特性(LIV)结果表明,开路电压(Voc)、短路电流(Isc)和最大输出功率(Pmax)与质子注量呈对数退化规律.通过非电离能量损失(NIEL)将不同能量质子的注量转化为位移损伤剂量(DDD),结果显示,Voc和Pmax与DDD呈对数退化规律,而fsc遵循两种不同的退化规律.光谱响应测试证明,GaInP子电池具有优异的抗辐照性能,3个子电池中InGaAs(1.0 eV)子电池的抗辐照性能最差.
ISSN:1000-6931
DOI:10.7538/yzk.2021.youxian.0543