复合衬底薄膜砷化镓太阳电池技术研究

TM914; 针对薄膜砷化镓(GaAs)太阳电池,提出了一种复合衬底结构及其一体化制备方法.采用微加工方法使该薄膜砷化镓太阳电池的复合式柔性衬底的厚度降低至15 μm,薄膜GaAs太阳电池整体面密度低至95 g/m2,光刻形成的金属微孔使砷化镓与衬底背面底电极电学导通.此外,提出的复合衬底一体化制备方法可避免传统薄膜GaAs电池键合过程对砷化镓外延层造成的影响,提高太阳电池工艺可靠性.薄膜GaAs太阳电池电性能测试及疲劳测试结果均表明该一体化制备方法在提高工艺可行性、降低工艺复杂度的同时其电池电性能无明显降低.该复合衬底的薄膜GaAs太阳电池及其一体化制备方法在未来有着广阔的应用前景....

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Published in微纳电子技术 Vol. 62; no. 1; pp. 48 - 54
Main Authors 郭哲俊, 施祥蕾, 周丽华, 张占飞, 钱勇, 吴敏, 李彬, 王波, 孙利杰, 王训春
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 上海空间电源研究所空间电源全国重点实验室,上海 200245 2025
Subjects
柔性薄膜电池
面密度
flexible thin film cell
砷化镓(GaAs)
复合衬底
gallium arsenide(GaAs)
composite substrate
surface density
thin-film solar cell
薄膜太阳电池
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ISSN1671-4776
DOI10.13250/j.cnki.wndz.25010202

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Summary:TM914; 针对薄膜砷化镓(GaAs)太阳电池,提出了一种复合衬底结构及其一体化制备方法.采用微加工方法使该薄膜砷化镓太阳电池的复合式柔性衬底的厚度降低至15 μm,薄膜GaAs太阳电池整体面密度低至95 g/m2,光刻形成的金属微孔使砷化镓与衬底背面底电极电学导通.此外,提出的复合衬底一体化制备方法可避免传统薄膜GaAs电池键合过程对砷化镓外延层造成的影响,提高太阳电池工艺可靠性.薄膜GaAs太阳电池电性能测试及疲劳测试结果均表明该一体化制备方法在提高工艺可行性、降低工艺复杂度的同时其电池电性能无明显降低.该复合衬底的薄膜GaAs太阳电池及其一体化制备方法在未来有着广阔的应用前景.
ISSN:1671-4776
DOI:10.13250/j.cnki.wndz.25010202