低电压环形振荡器设计

TN782; 提出了一种新的两级环形振荡器结构,通过控制PMOS的衬底电压,来降低PMOS管的阈值电压,从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率.仿真结果表明,在电源电压为1V,调节电压在0～1V范围内变化时,振荡器的频率为300MHz～4GHz....

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Published in通信学报 Vol. 28; no. 6; pp. 62 - 73
Main Authors 江金光, 李天望
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 武汉大学,卫星导航定位技术研究中心,湖北,武汉,430079 2007
Subjects
环形振荡器
低电压
调节范围
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ISSN1000-436X
DOI10.3321/j.issn:1000-436X.2007.06.010

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Summary:TN782; 提出了一种新的两级环形振荡器结构,通过控制PMOS的衬底电压,来降低PMOS管的阈值电压,从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率.仿真结果表明,在电源电压为1V,调节电压在0～1V范围内变化时,振荡器的频率为300MHz～4GHz.
ISSN:1000-436X
DOI:10.3321/j.issn:1000-436X.2007.06.010