300mm直拉硅单晶生长过程中的变晶现象及其影响因素

O782; 直拉法生长直径300 mm硅单晶过程中,直径均匀是获得高品质硅单晶的关键.在生产实践中发现,当硅晶体进入等径生长阶段,过高的提拉速度会引起晶体发生扭晶现象,导致晶线断裂随即变晶,对等径生长不利.本文采用数值模拟和理论相结合的方法分析了?300 mm硅单晶生长过程中扭晶现象的成因,建立了不同提拉速度下晶体直径与熔体温度分布的关系,分析了晶体发生扭晶的影响因素.结果表明,随着提拉速度的增加,熔体自由表面产生过冷区且该过冷区随提拉速度的增加不断扩大,过冷区的产生是导致晶体发生扭晶的主要原因.提出了一种基于有限元热场数值模拟的最大稳定提拉速度的判别方法,并给出了通过改变晶体旋转速度来改善熔...

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Published in人工晶体学报 Vol. 51; no. 7; pp. 1185 - 1193
Main Authors 张晶, 刘丁
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心,西安 710048 2022
Subjects
提拉速度
扭晶
直拉硅单晶
晶体旋转速度
数值模拟
过冷区
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2022.07.008

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Summary:O782; 直拉法生长直径300 mm硅单晶过程中,直径均匀是获得高品质硅单晶的关键.在生产实践中发现,当硅晶体进入等径生长阶段,过高的提拉速度会引起晶体发生扭晶现象,导致晶线断裂随即变晶,对等径生长不利.本文采用数值模拟和理论相结合的方法分析了?300 mm硅单晶生长过程中扭晶现象的成因,建立了不同提拉速度下晶体直径与熔体温度分布的关系,分析了晶体发生扭晶的影响因素.结果表明,随着提拉速度的增加,熔体自由表面产生过冷区且该过冷区随提拉速度的增加不断扩大,过冷区的产生是导致晶体发生扭晶的主要原因.提出了一种基于有限元热场数值模拟的最大稳定提拉速度的判别方法,并给出了通过改变晶体旋转速度来改善熔体自由表面温度分布的工艺措施建议,从而避免晶体扭晶现象的发生.研究结果对设计大尺寸硅单晶生长热场具有一定的指导作用.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2022.07.008