AgNWs@SiO2/PI复合薄膜制备及性能研究

TM215.3; 为了提高聚酰亚胺薄膜热导率的同时维持绝缘性,采用SiO2对AgNWs进行表面绝缘包覆获得AgNWs@SiO2核壳结构,首先通过静电纺丝技术将AgNWs@SiO2分散在聚酰胺酸(PAA)电纺纤维内部,规划导热路径,同时改善AgNWs@SiO2在PI基体中的分散性,再用含AgNWs@SiO2的PAA胶液浸渍PAA电纺膜,热亚胺化后得到E-AgNWs@SiO2/PI复合薄膜.研究其填料改性和含量对复合薄膜导热性能和绝缘性能的影响.结果表明:当填料质量分数为25％时,E-AgNWs/PI和E-AgNWs@SiO2/PI复合薄膜的热导率分别为2.92 W/(m·K)和2.80 W/(m...

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Published in绝缘材料 Vol. 54; no. 11; pp. 120 - 125
Main Authors 王雨婷, 吴子剑, 王正芳, 王雪霏, 郭宁, 张笑瑞, 马英一, 陈昊, 翁凌
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 哈尔滨理工大学,黑龙江 哈尔滨 150000 2021
Subjects
聚酰亚胺;银纳米线;二氧化硅包覆;静电纺丝;导热绝缘
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ISSN1009-9239
DOI10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2021.11.017

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Summary:TM215.3; 为了提高聚酰亚胺薄膜热导率的同时维持绝缘性,采用SiO2对AgNWs进行表面绝缘包覆获得AgNWs@SiO2核壳结构,首先通过静电纺丝技术将AgNWs@SiO2分散在聚酰胺酸(PAA)电纺纤维内部,规划导热路径,同时改善AgNWs@SiO2在PI基体中的分散性,再用含AgNWs@SiO2的PAA胶液浸渍PAA电纺膜,热亚胺化后得到E-AgNWs@SiO2/PI复合薄膜.研究其填料改性和含量对复合薄膜导热性能和绝缘性能的影响.结果表明:当填料质量分数为25％时,E-AgNWs/PI和E-AgNWs@SiO2/PI复合薄膜的热导率分别为2.92 W/(m·K)和2.80 W/(m·K),分别是纯PI薄膜的14.6倍和14倍.E-AgNWs@SiO2/PI复合薄膜的介电常数降低至5以下,并且介质损耗因数维持在0.015以下,体积电阻率提升至1.79×1013Ω·m.
ISSN:1009-9239
DOI:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2021.11.017