聚偏氟乙烯/石墨烯复合热界面薄膜材料的制备及其优异性能

随着人们对电子设备中热传导和电磁屏蔽的关注度不断增加,热界面材料的研发取得了显著进展.本文通过高能球磨、冷等静压和刮涂等一系列工艺,成功制备了含有不同比例石墨烯的聚偏氟乙烯/石墨烯复合薄膜.高能球磨技术有效促进了石墨烯粉末的均匀分散,冷等静压技术则减少了薄膜内的空隙并增加了石墨烯片层间的接触面积,从而显著提高了材料的热导率和机械强度.通过对复合薄膜的导热性能、机械性能以及电磁屏蔽性能进行了细致的对比和分析后发现,当聚偏氟乙烯与石墨烯的比例达到1∶3时,薄膜的热导率从纯聚偏氟乙烯膜的0.19 W·m-1·K-1显著提高至103.9 W·m-1·K-1.此外,薄膜的电磁屏蔽效能最高可达36.55...

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Published in	化学物理学报（英文版） Vol. 37; no. 5; pp. 671 - 678
Main Authors	周宇, 左黎, Azizur Rahman, 洪波, 陈宏伟, 张临超, 鞠洪博, 杨俊峰
Format	Journal Article
Language	Chinese
Published	中国科学技术大学物理系,合肥 230026%中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所材料物理重点实验室,合肥 230031%中国计量大学材料与化学学院,浙江省磁性材料重点实验室,杭州 310018%江苏科技大学材料科学与工程学院,镇江 212003 2024 安徽大学物质科学与信息技术研究院,合肥 230601 中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所材料物理重点实验室,合肥 230031%中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所材料物理重点实验室,合肥 230031
Subjects	Electromagnetic interference shielding Polyvinylidene fluoride Graphene 聚偏氟乙烯热界面材料石墨烯电磁干扰屏蔽热导率 Thermal con-ductivity Thermal interface material
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ISSN	1674-0068
DOI	10.1063/1674-0068/cjcp2312136

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Summary:	随着人们对电子设备中热传导和电磁屏蔽的关注度不断增加,热界面材料的研发取得了显著进展.本文通过高能球磨、冷等静压和刮涂等一系列工艺,成功制备了含有不同比例石墨烯的聚偏氟乙烯/石墨烯复合薄膜.高能球磨技术有效促进了石墨烯粉末的均匀分散,冷等静压技术则减少了薄膜内的空隙并增加了石墨烯片层间的接触面积,从而显著提高了材料的热导率和机械强度.通过对复合薄膜的导热性能、机械性能以及电磁屏蔽性能进行了细致的对比和分析后发现,当聚偏氟乙烯与石墨烯的比例达到1∶3时,薄膜的热导率从纯聚偏氟乙烯膜的0.19 W·m-1·K-1显著提高至103.9 W·m-1·K-1.此外,薄膜的电磁屏蔽效能最高可达36.55 dB.研究表明,聚偏氟乙烯/石墨烯复合薄膜具有优异的综合性能和广阔的应用前景.
ISSN:	1674-0068
DOI:	10.1063/1674-0068/cjcp2312136