溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究

TB34; 采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜.研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响.实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能.退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能.当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301μA/cm2....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 41; no. 4; pp. 659 - 667
Main Authors 曹萌, 虞斌, 张翔, 许成刚, 张珊, 孙丽颖, 谭小宏, 姜昱丞, 豆家伟, 王林军
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 上海大学材料科学与工程学院,上海200072%中广核工程有限公司核电安全监控技术与装备国家重点实验室,广东深圳,518172%上海大学材料科学与工程学院,上海200072%中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和探测器实验室,上海200083%杨浦区市东医院重症监护科室,上海200438%苏州科技大学物理科学与技术学院,江苏苏州215009%上海大学材料科学与工程学院,上海200072 2022
中广核工程有限公司核电安全监控技术与装备国家重点实验室,广东深圳,518172
上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院,浙江嘉善314113
Subjects
photoelectrochemical
溅射
光电化学
碲化镉
退火
sputtering
annealing
CdTe
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2022.04.001

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Summary:TB34; 采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜.研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响.实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能.退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能.当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301μA/cm2.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.04.001