基于滤波器综合分析法的118GHz单刀二掷开关

TN451; 采用滤波器综合分析方法,基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管,根据其等效寄生参数,综合出单刀二掷开关集总参数滤波器模型,以此分析其等效分布参数电路,设计出了118 GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片,开关电路尺寸6×2.5×0.1 mm3.通过开关模块封装用波导-微带过渡和键合金带插损的分析研究,研制出了低插损的118 GHz开关模块,在110 ～ 120 GHz,测得开关插损小于3.0 dB,插损典型值2.6dB;开关隔离度大于22 dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18 ns、20 ns、10 ns、18 ns,该准单片作为通道切换开关可...

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 36; no. 5; pp. 526 - 533
Main Authors 姚常飞, 陈振华, 葛俊祥, 周明, 魏翔
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南京信息工程大学电子与信息工程学院,江苏南京,210044%南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部,江苏南京,210016 2017
Subjects
插损
PIN二极管
insertion loss
isolation
隔离度
SPDT switch
单刀二掷开关
PIN diode
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2017.05.003

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Summary:TN451; 采用滤波器综合分析方法,基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管,根据其等效寄生参数,综合出单刀二掷开关集总参数滤波器模型,以此分析其等效分布参数电路,设计出了118 GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片,开关电路尺寸6×2.5×0.1 mm3.通过开关模块封装用波导-微带过渡和键合金带插损的分析研究,研制出了低插损的118 GHz开关模块,在110 ～ 120 GHz,测得开关插损小于3.0 dB,插损典型值2.6dB;开关隔离度大于22 dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18 ns、20 ns、10 ns、18 ns,该准单片作为通道切换开关可集成应用于118 GHz收发组件中.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2017.05.003