β-Ga2 O 3单晶制备工艺的研究进展

O782; β型氧化镓(β-Ga2O3)具有宽禁带、高击穿强度和低制造成本等优点,是制备第三代半导体的优质备选材料.制备β-Ga2 O 3材料的方法有直拉法、导模法、浮区法、布里奇曼法等.由于该材料在高温下易挥发,易产生较多杂质气体、晶体形状难以控制、单晶中产生较多缺陷等问题.对目前β-Ga2 O 3制备方法进行综述,对多种制备方法的工艺、原理以及相关应用进行介绍,并对这些方法及工艺的特点进行对比,分析产品低质量的主要原因并提出解决建议,为未来优化β-Ga2 O 3材料制备工艺的研究提供参考....

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Bibliographic Details
Published in功能材料 Vol. 52; no. 1; pp. 70 - 77
Main Authors 陈博利, 杨依帆, 冷国琴, 黄朝晖, 孙峙, 陶天一
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院过程工程研究所,北京 100190 2021
中国地质大学 (北京)材料科学与工程学院,北京 100083%中国地质大学 (北京)材料科学与工程学院,北京 100083%中国科学院过程工程研究所,北京 100190
Subjects
单晶生长
宽禁带半导体
β-Ga2O3
制备工艺
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ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2021.01.011

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Summary:O782; β型氧化镓(β-Ga2O3)具有宽禁带、高击穿强度和低制造成本等优点,是制备第三代半导体的优质备选材料.制备β-Ga2 O 3材料的方法有直拉法、导模法、浮区法、布里奇曼法等.由于该材料在高温下易挥发,易产生较多杂质气体、晶体形状难以控制、单晶中产生较多缺陷等问题.对目前β-Ga2 O 3制备方法进行综述,对多种制备方法的工艺、原理以及相关应用进行介绍,并对这些方法及工艺的特点进行对比,分析产品低质量的主要原因并提出解决建议,为未来优化β-Ga2 O 3材料制备工艺的研究提供参考.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2021.01.011