一种用于浮动电源的超低功耗欠压锁定电路

TN432; 传统欠压锁定电路结构复杂,功耗大,不适用于电源浮动的应用场景.为实现对浮动电源的监测,提出了一种欠压锁定电路,该电路结构简单,具有超低功耗和良好的工艺兼容性,通过设置迟滞提高了电路抗干扰能力.采用0.18 μm BCD工艺对电路进行仿真和流片验证.仿真结果表明,在25 ℃典型工艺下电路的锁定阈值和解锁阈值分别为2.9 V和3 V,迟滞电压为0.1 V,功耗为5 μW,版图面积为2313 μm2.测试结果表明,该结构可用于浮动电源,测得的锁定阈值与设计值吻合.与同类文献的对比结果表明,该结构在面积、功耗、工艺兼容性和适用范围方面更具优势....

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Bibliographic Details
Published in电子元件与材料 Vol. 43; no. 9; pp. 1141 - 1145
Main Authors 叶旻, 吕辉, 何军, 张力
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 湖北工业大学理学院,湖北武汉 430068 2024
科技部/教育部微电子与集成电路学科创新引智基地,湖北武汉 430068%江西天漪半导体有限公司,江西九江 332500
Subjects
floating power supply
低功耗
欠压锁定电路
UVLO
浮动电源
low power consumption
迟滞
hysteresis
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ISSN1001-2028
DOI10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0259

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Summary:TN432; 传统欠压锁定电路结构复杂,功耗大,不适用于电源浮动的应用场景.为实现对浮动电源的监测,提出了一种欠压锁定电路,该电路结构简单,具有超低功耗和良好的工艺兼容性,通过设置迟滞提高了电路抗干扰能力.采用0.18 μm BCD工艺对电路进行仿真和流片验证.仿真结果表明,在25 ℃典型工艺下电路的锁定阈值和解锁阈值分别为2.9 V和3 V,迟滞电压为0.1 V,功耗为5 μW,版图面积为2313 μm2.测试结果表明,该结构可用于浮动电源,测得的锁定阈值与设计值吻合.与同类文献的对比结果表明,该结构在面积、功耗、工艺兼容性和适用范围方面更具优势.
ISSN:1001-2028
DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0259