MICROWAVE GENERATOR

FIELD: electronic equipment.SUBSTANCE: technical result is achieved due to the fact that the generator is further introduced fifth and sixth inductors, wherein the source of the first and the gate of the second FET Schottky connected, and the source of the second grounded through the fifth inductanc...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors MJAKINKOV VITALIJ JUREVICH, BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH, SAVELEVA LJUDMILA GENNADEVNA, BALYKO ILJA ALEKSANDROVICH
Format Patent
LanguageEnglish
Russian
Published 27.04.2016
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:FIELD: electronic equipment.SUBSTANCE: technical result is achieved due to the fact that the generator is further introduced fifth and sixth inductors, wherein the source of the first and the gate of the second FET Schottky connected, and the source of the second grounded through the fifth inductance and the other end of the resistor is connected to one end of the first capacitor, the other end connected to the drain of the first field effect transistor with a Schottky barrier, while the sixth through the inductance to the drain of the second field effect transistor with a Schottky barrier and the other end of the second capacitor.EFFECT: technical result is to increase the operating frequency range of the microwave generator, while maintaining the level of output power.1 cl, 3 dwg Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат заключается в расширении рабочего диапазона частот генератора СВЧ при сохранении уровня выходной мощности. Технический результат достигается за счет того, что в генератор дополнительно введены пятая и шестая индуктивности, при этом исток первого и затвор второго полевых транзисторов с барьером Шотки соединены, а исток второго заземлен через пятую индуктивность, другой конец резистора соединен с одним концом первого конденсатора, другой конец которого соединен со стоком первого полевого транзистора с барьером Шотки и одновременно через шестую индуктивность со стоком второго полевого транзистора с барьером Шотки и с другим концом второго конденсатора. 3 ил.
Bibliography:Application Number: RU20150109426