一种具有侧面栅和控制区的绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管

本发明公开了一种具有侧面栅和控制区的绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管，该绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管由下至上依次为衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层。硅膜层分为主体区和控制区，两区域中间由二氧化硅隔离。本发明在硅膜层后方设置了控制区，有助于增强沟道与N漂移区的电子积累效应，辅助耗尽漂移区，从而提高漂移区的掺杂浓度，极大地降低了器件的比导通电阻。同时，击穿电压由主体区和控制区中较差的区域决定，通过对控制区的调试，使得控制区的击穿电场与主体区相近，减小了击穿电压的降低幅度，从而保证了与传统沟槽LDMOS将近的击穿电压。最后，将栅极转移到侧面，有助于拓宽器件的导通路径，降低了器件的比导通电阻。...

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Format Patent
LanguageChinese
Published 10.10.2025
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:本发明公开了一种具有侧面栅和控制区的绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管，该绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管由下至上依次为衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层。硅膜层分为主体区和控制区，两区域中间由二氧化硅隔离。本发明在硅膜层后方设置了控制区，有助于增强沟道与N漂移区的电子积累效应，辅助耗尽漂移区，从而提高漂移区的掺杂浓度，极大地降低了器件的比导通电阻。同时，击穿电压由主体区和控制区中较差的区域决定，通过对控制区的调试，使得控制区的击穿电场与主体区相近，减小了击穿电压的降低幅度，从而保证了与传统沟槽LDMOS将近的击穿电压。最后，将栅极转移到侧面，有助于拓宽器件的导通路径，降低了器件的比导通电阻。
Bibliography:Application Number: CN202511237824