MOSFET器件的总剂量效应可缩放模型建立方法

本发明提供的MOSFET器件的总剂量效应可缩放模型建立方法，包括：通过辐射在MOSFET器件的栅氧化层中诱导产生空穴，基于空穴被MOSFET器件的栅氧化层内部及界面处的空穴陷阱捕获的过程，得到总陷阱电荷；通过总陷阱电荷确定阈值电压漂移方程，并在阈值电压漂移方程中添加MOSFET器件尺寸信息，得到可缩放阈值电压漂移模型；获取可缩放泄漏电流模型；可缩放泄漏电流模型为基于BP神经网络预先训练的泄漏电流特性相对于MOSFET器件尺寸和辐射剂量的变化关系模型；将可缩放阈值电压漂移模型和可缩放泄漏电流模型融合，得到总剂量效应可缩放模型。这样，提高了MOSFET器件性能评估的准确性和可靠性。...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Format Patent
LanguageChinese
Published 12.09.2025
Subjects
CALCULATING
COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
PHYSICS
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:本发明提供的MOSFET器件的总剂量效应可缩放模型建立方法，包括：通过辐射在MOSFET器件的栅氧化层中诱导产生空穴，基于空穴被MOSFET器件的栅氧化层内部及界面处的空穴陷阱捕获的过程，得到总陷阱电荷；通过总陷阱电荷确定阈值电压漂移方程，并在阈值电压漂移方程中添加MOSFET器件尺寸信息，得到可缩放阈值电压漂移模型；获取可缩放泄漏电流模型；可缩放泄漏电流模型为基于BP神经网络预先训练的泄漏电流特性相对于MOSFET器件尺寸和辐射剂量的变化关系模型；将可缩放阈值电压漂移模型和可缩放泄漏电流模型融合，得到总剂量效应可缩放模型。这样，提高了MOSFET器件性能评估的准确性和可靠性。
Bibliography:Application Number: CN202510720366