一种晶粒可控生长的多晶SnSe基复合材料的制备方法

• Format: Patent
• Language: Chinese
• Published: 15.12.2023
• Subjects: ELECTRICITY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING

本发明公开了一种晶粒可控生长的多晶SnSe基复合材料的制备方法，包括以下步骤：分别以Se粉和SnCl2·2H2O作为阴离子前驱体、阳离子前驱体，采用氢氧化钠来调控阳离子溶液的pH得到锡源前驱物，硼氢化钠还原Se粉得到硒源前驱物，将锡源前驱物和硒源前驱物在加热沸腾的水溶液中反应，然后离心洗涤得到多晶SnSe纳米晶基体；利用硫属化物分子配体表面修饰多晶基体SnSe纳米晶，得到表面有分子配体涂层的SnSe纳米晶@分子配体粉末，然后进行退火和烧结致密化处理，制备获得晶粒可控生长的多晶SnSe基复合材料。本发明能够简便有效地调控其最终制备的材料的晶粒生长尺寸，该制备工艺简单、能耗低、产率高，适合大批量快速合成，因而具有很好的实际应用前景。