SiPM耦合塑料闪烁体探测器放大电路设计

TL821; 为了解决硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)受环境噪声影响大的问题,设计了一款SiPM耦合塑料闪烁体探测器的信号放大电路.以AD8014放大芯片和CR电路构成负反馈选通放大电路,并且与OPA657跨阻式放大电路进行对比.该款电路以RC滤波输入部分和集成运算放大器构成信号放大电路,具有快上升时间及低输入噪声;以CR高通滤波电路作为比较器信号输入能够有效防止信号反射.实验结果表明:该信号放大电路能够有效滤除环境噪声,并且具备快上升时间.将该电路与塑料闪烁体探测器耦合,在室温下对137Cs源进行暗噪声水平和输出信号一致性测量,其输出脉冲上升时间小于1...

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Published in核技术 Vol. 47; no. 3; pp. 71 - 76
Main Authors 唐晨阳, 陈欣南, 高春宇, 李雨芃, 王晓, 汤秀章
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国原子能科学研究院 北京 102413 01.03.2024
Subjects
电路信号仿真
暗噪声与一致性测量
SiPM
Circuit signal simulation
塑料闪烁体
Plastic scintillator
Dark noise and consistency measurements
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ISSN0253-3219
DOI10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.030403

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Summary:TL821; 为了解决硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)受环境噪声影响大的问题,设计了一款SiPM耦合塑料闪烁体探测器的信号放大电路.以AD8014放大芯片和CR电路构成负反馈选通放大电路,并且与OPA657跨阻式放大电路进行对比.该款电路以RC滤波输入部分和集成运算放大器构成信号放大电路,具有快上升时间及低输入噪声;以CR高通滤波电路作为比较器信号输入能够有效防止信号反射.实验结果表明:该信号放大电路能够有效滤除环境噪声,并且具备快上升时间.将该电路与塑料闪烁体探测器耦合,在室温下对137Cs源进行暗噪声水平和输出信号一致性测量,其输出脉冲上升时间小于12 ns,暗噪声水平低于30 mV,优于跨阻式放大电路.
ISSN:0253-3219
DOI:10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.030403