发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响

TL82%O571.33; 为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率.同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强....

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Published in核技术 Vol. 41; no. 11; pp. 44 - 48
Main Authors 刘默寒, 陆妩, 贾金成, 施炜雷, 王信, 李小龙, 孙静, 郭旗, 吴雪, 张培健
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学 北京 100049%中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐 830011%模拟集成电路国家重点实验室 重庆 400060 10.11.2018
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐 830011
Subjects
发射极尺寸
剂量率效应
双多晶自动准
NPN晶体管
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ISSN0253-3219
DOI10.11889/j.0253-3219.2018.hjs.41.110502

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Summary:TL82%O571.33; 为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率.同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强.
ISSN:0253-3219
DOI:10.11889/j.0253-3219.2018.hjs.41.110502