CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

TN386; 互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效.本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Fu...

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Published in核技术 Vol. 43; no. 1; pp. 48 - 56
Main Authors 蔡毓龙, 李豫东, 文林, 郭旗
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011 15.01.2020
新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011
中国科学院大学 北京100049%中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011
Subjects
CMOS图像传感器
抗辐射加固技术
单粒子效应
空间辐射
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ISSN0253-3219
DOI10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.010502

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Summary:TN386; 互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效.本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展.简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展.分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考.
ISSN:0253-3219
DOI:10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.010502