DC-SQUID串联阵列直流特性研究

TP212.1; 为更好地研究直流超导量子干涉器件(Direct Current Superconducting Quantum Interference Device,DC-SQUID)串联阵列的直流特性,我们基于约瑟夫森结RSJ(Resistively Shunted Junction)模型建立了适用于DC-SQUID串联阵列的直流关系方程,并通过求解等效福克-普朗克方程,获得了高斯白噪声影响下DC-SQUID串联阵列直流特性的解析表达式.DC-SQUID串联阵列的实测结果验证了本文所提理论公式的正确性.实验结果表明:DC-SQUID串联阵列在低温下具有超高的Fano因子,亟待进一步深入研...

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Published in核技术 Vol. 44; no. 6; pp. 47 - 52
Main Authors 姜稣仆, 杨瑾屏, 张硕, 任翠兰, 怀平, 伍文涛
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学 北京 100049%上海科技大学大科学中心 上海 201210%中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800%中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800 15.06.2021
中国科学院上海高等研究院 上海 201204%中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海 200050
上海科技大学大科学中心 上海 201210
中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800
Subjects
约瑟夫森结
超导量子干涉器件
RSJ模型
高斯白噪声
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ISSN0253-3219
DOI10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.060401

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Summary:TP212.1; 为更好地研究直流超导量子干涉器件(Direct Current Superconducting Quantum Interference Device,DC-SQUID)串联阵列的直流特性,我们基于约瑟夫森结RSJ(Resistively Shunted Junction)模型建立了适用于DC-SQUID串联阵列的直流关系方程,并通过求解等效福克-普朗克方程,获得了高斯白噪声影响下DC-SQUID串联阵列直流特性的解析表达式.DC-SQUID串联阵列的实测结果验证了本文所提理论公式的正确性.实验结果表明:DC-SQUID串联阵列在低温下具有超高的Fano因子,亟待进一步深入研究.
ISSN:0253-3219
DOI:10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.060401