模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应
O77+4%TN710.2; 以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的12位模拟数字转换器AD574为研究对象,在60Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Total ionizing dose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU)试验,获得了0 V、1 V、2.5 V输入信号条件下的输出码值翻转.结果显示:累积400 Gy(Si)电离剂量后,AD574输出码值的翻转向中心码值右侧偏移,同时造成翻转次数的改变.本文初步分析了AD574的TID-SEU协合效应作用机制,认为该现象与模拟/数字转换器内部比...
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          | Published in | 辐射研究与辐射工艺学报 Vol. 39; no. 4; pp. 91 - 96 | 
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| Main Authors | , , , , , , , , , , | 
| Format | Journal Article | 
| Language | Chinese | 
| Published | 
            中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐 830011%中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐 830011
    
        01.08.2021
     新疆大学物理科学与技术学院 乌鲁木齐 830046 中国科学院大学 北京 100049%中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐 830011 中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐 830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐 830011  | 
| Subjects | |
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| ISSN | 1000-3436 | 
| DOI | 10.11889/j.1000-3436.2021.rrj.39.040702 | 
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| Summary: | O77+4%TN710.2; 以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的12位模拟数字转换器AD574为研究对象,在60Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Total ionizing dose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU)试验,获得了0 V、1 V、2.5 V输入信号条件下的输出码值翻转.结果显示:累积400 Gy(Si)电离剂量后,AD574输出码值的翻转向中心码值右侧偏移,同时造成翻转次数的改变.本文初步分析了AD574的TID-SEU协合效应作用机制,认为该现象与模拟/数字转换器内部比较器单粒子瞬态的敏感性有关.累积总剂量后,比较器单粒子瞬态的幅值和宽度显著增大,会导致AD574输出码值翻转分布及次数的变化.该TID-SEU协合效应研究对宇航元器件的抗辐射加固保障提供了有益参考. | 
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| ISSN: | 1000-3436 | 
| DOI: | 10.11889/j.1000-3436.2021.rrj.39.040702 |