不同基底氘钛靶性能研究
TL51; 中子发生器的靶片性能影响中子产额和稳定性.为防止钛膜和基底材料间生成合金,进而影响靶片性能,本研究在氘钛靶储氢层与基底层之间采用了镀金工艺,以阻止钛膜和靶片的基底材料相互渗透,进而影响钛膜中钛元素浓度,造成靶上有效氘浓度降低.经过对比测试,钼基底镀金氘钛靶的中子产额可达到 1.61×109 s-1,在束流强度一定的条件下,其中子产额及稳定性优于铜基底镀金氘钛靶和纯钼基底氘钛靶.电子显微镜能谱分析显示,钼基底镀金氘钛靶中钛元素丰度最高,成功解释了其中子产额较高的原因.同时模拟计算排除了实验中靶片温度上升对靶中氘溢出的影响.此研究为理解和优化中子发生器提供了有价值的见解....
Saved in:
Published in | 原子能科学技术 Vol. 58; no. 7; pp. 1548 - 1556 |
---|---|
Main Authors | , , , , , , , |
Format | Journal Article |
Language | Chinese |
Published |
中国原子能科学研究院,北京 102413
01.07.2024
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
ISSN | 1000-6931 |
DOI | 10.7538/yzk.2023.youxian.0628 |
Cover
Summary: | TL51; 中子发生器的靶片性能影响中子产额和稳定性.为防止钛膜和基底材料间生成合金,进而影响靶片性能,本研究在氘钛靶储氢层与基底层之间采用了镀金工艺,以阻止钛膜和靶片的基底材料相互渗透,进而影响钛膜中钛元素浓度,造成靶上有效氘浓度降低.经过对比测试,钼基底镀金氘钛靶的中子产额可达到 1.61×109 s-1,在束流强度一定的条件下,其中子产额及稳定性优于铜基底镀金氘钛靶和纯钼基底氘钛靶.电子显微镜能谱分析显示,钼基底镀金氘钛靶中钛元素丰度最高,成功解释了其中子产额较高的原因.同时模拟计算排除了实验中靶片温度上升对靶中氘溢出的影响.此研究为理解和优化中子发生器提供了有价值的见解. |
---|---|
ISSN: | 1000-6931 |
DOI: | 10.7538/yzk.2023.youxian.0628 |