不同基底氘钛靶性能研究

TL51; 中子发生器的靶片性能影响中子产额和稳定性.为防止钛膜和基底材料间生成合金,进而影响靶片性能,本研究在氘钛靶储氢层与基底层之间采用了镀金工艺,以阻止钛膜和靶片的基底材料相互渗透,进而影响钛膜中钛元素浓度,造成靶上有效氘浓度降低.经过对比测试,钼基底镀金氘钛靶的中子产额可达到 1.61×109 s-1,在束流强度一定的条件下,其中子产额及稳定性优于铜基底镀金氘钛靶和纯钼基底氘钛靶.电子显微镜能谱分析显示,钼基底镀金氘钛靶中钛元素丰度最高,成功解释了其中子产额较高的原因.同时模拟计算排除了实验中靶片温度上升对靶中氘溢出的影响.此研究为理解和优化中子发生器提供了有价值的见解....

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Published in原子能科学技术 Vol. 58; no. 7; pp. 1548 - 1556
Main Authors 李炎锟, 陈红涛, 宋应民, 孙琪, 胡因球, 张坤, 龚新宝, 刘邢宇
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国原子能科学研究院,北京 102413 01.07.2024
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ISSN1000-6931
DOI10.7538/yzk.2023.youxian.0628

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Summary:TL51; 中子发生器的靶片性能影响中子产额和稳定性.为防止钛膜和基底材料间生成合金,进而影响靶片性能,本研究在氘钛靶储氢层与基底层之间采用了镀金工艺,以阻止钛膜和靶片的基底材料相互渗透,进而影响钛膜中钛元素浓度,造成靶上有效氘浓度降低.经过对比测试,钼基底镀金氘钛靶的中子产额可达到 1.61×109 s-1,在束流强度一定的条件下,其中子产额及稳定性优于铜基底镀金氘钛靶和纯钼基底氘钛靶.电子显微镜能谱分析显示,钼基底镀金氘钛靶中钛元素丰度最高,成功解释了其中子产额较高的原因.同时模拟计算排除了实验中靶片温度上升对靶中氘溢出的影响.此研究为理解和优化中子发生器提供了有价值的见解.
ISSN:1000-6931
DOI:10.7538/yzk.2023.youxian.0628