溅射功率和溅射时间对Mg2Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响

O484; 采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg2Si纳米晶薄膜,研究了Mg2Si烧结靶溅射功率(90～140 W)及溅射时间(10～60 min)对Mg2Si薄膜的结构和电阻率的影响.结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg.随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰.所有样品均呈现出Mg2Si晶体的特征拉曼峰,即256 cm-1附近的F2g模及347 cm-1附近的F1u(LO)模.随着溅射功率增加,样品的电阻率减...

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Published in人工晶体学报 Vol. 50; no. 9; pp. 1675 - 1680
Main Authors 廖杨芳, 谢泉
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001%贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025 01.09.2021
Subjects
Mg2Si;薄膜;射频磁控溅射;溅射功率;溅射时间;电阻率
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2021.09.009

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Summary:O484; 采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg2Si纳米晶薄膜,研究了Mg2Si烧结靶溅射功率(90～140 W)及溅射时间(10～60 min)对Mg2Si薄膜的结构和电阻率的影响.结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg.随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰.所有样品均呈现出Mg2Si晶体的特征拉曼峰,即256 cm-1附近的F2g模及347 cm-1附近的F1u(LO)模.随着溅射功率增加,样品的电阻率减小;随着溅射时间增加,样品的电阻率先减小后增大,溅射时间为40 min时,样品的电阻率最小.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2021.09.009