原料颗粒度对AlN晶体生长的影响

O78; 本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低.利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布情况.使用不同颗粒度的原料进行了 AlN晶体生长,发现最适合AlN晶体生长的温度梯度和原料颗粒度.最后用颗粒度为1～3 mm的多晶颗粒料进行晶体生长,生长出直径为1英寸、厚度为15 mm的AlN晶体.对晶体进行切割、研磨、抛光,得到1英寸AlN晶片.采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱对晶片进行表征.结果发现HRXRD摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为1...

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Published in人工晶体学报 Vol. 53; no. 1; pp. 58 - 64
Main Authors 俞瑞仙, 王国栋, 王守志, 曹文豪, 胡小波, 徐现刚, 张雷
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 山东大学新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南 250100%山东大学新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南 250100 2024
山东大学深圳研究院,深圳 518000
Subjects
AlN晶体
impurity
polycrystalline granular material
VR-PVT
AlN crystal
porosity
多晶颗粒料
孔隙率
杂质
温场
temperature field
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2024.01.006

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Summary:O78; 本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低.利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布情况.使用不同颗粒度的原料进行了 AlN晶体生长,发现最适合AlN晶体生长的温度梯度和原料颗粒度.最后用颗粒度为1～3 mm的多晶颗粒料进行晶体生长,生长出直径为1英寸、厚度为15 mm的AlN晶体.对晶体进行切割、研磨、抛光,得到1英寸AlN晶片.采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱对晶片进行表征.结果发现HRXRD摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为154.66",E2(high)声子模的峰位置和FWHM分别为656.7和4.3 cm-1,表明该AlN晶体结晶质量良好.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2024.01.006