化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜

O78%O484; 碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域.本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI3粉末作为蒸发源,O2/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源温度和沉积时间对薄膜物相和形貌的影响,分析了 BiOI薄膜的生长机理.结果表明CVD方法制备的BiOI薄膜属于四方晶系,具有高c轴取向的特点.c轴取向的薄膜平行于基底生长,其结晶性、透过率及缺陷性能等都与蒸发温度和沉积时间密切相关.当蒸发温度为370 ℃、沉积时间为20 min时,BiOI薄膜的晶化最好,透过率最低,缺陷最少....

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Published in人工晶体学报 Vol. 53; no. 5; pp. 841 - 847
Main Authors 徐玉琦, 李晴雯, 钟敏
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 辽宁省光电功能材料与检测重点实验室,锦州 121013 01.05.2024
渤海大学化学与材料工程学院,锦州 121013
Subjects
化学气相沉积
photoelectric material
半导体
semiconductor
碘氧化铋
chemical vapor deposition
光电材料
BiOI
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2024.05.012

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Summary:O78%O484; 碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域.本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI3粉末作为蒸发源,O2/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源温度和沉积时间对薄膜物相和形貌的影响,分析了 BiOI薄膜的生长机理.结果表明CVD方法制备的BiOI薄膜属于四方晶系,具有高c轴取向的特点.c轴取向的薄膜平行于基底生长,其结晶性、透过率及缺陷性能等都与蒸发温度和沉积时间密切相关.当蒸发温度为370 ℃、沉积时间为20 min时,BiOI薄膜的晶化最好,透过率最低,缺陷最少.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2024.05.012