连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响

TN32%TN386; 为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲劳特性与常规疲劳特性进行了对比分析,并对失效原因和修复方法进行了讨论;对比了8种不同RESET-SET次数比下的单元疲劳特性.实验结果表明:连续性RESET操作对相变存储器疲劳特性的影响很小,RESET-only模式下的相变存储器疲劳特性与常规疲劳特性处于同一量级;连续性SET操作会显著降低相变存储器的的疲...

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Published in上海交通大学学报 Vol. 55; no. 9; pp. 1134 - 1141
Main Authors 吴磊, 蔡道林, 陈一峰, 刘源广, 闫帅, 李阳, 余力, 谢礼, 宋志棠
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学,北京100049%中国科学院上海微系统与信息技术研究所^信息功能材料国家重点实验室^纳米技术实验室,上海200050 01.09.2021
中国科学院上海微系统与信息技术研究所^信息功能材料国家重点实验室^纳米技术实验室,上海200050
Subjects
相变存储器;连续性RESET操作;连续性SET操作;疲劳特性;失效改善
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ISSN1006-2467
DOI10.16183/j.cnki.jsjtu.2020.028

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Summary:TN32%TN386; 为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲劳特性与常规疲劳特性进行了对比分析,并对失效原因和修复方法进行了讨论;对比了8种不同RESET-SET次数比下的单元疲劳特性.实验结果表明:连续性RESET操作对相变存储器疲劳特性的影响很小,RESET-only模式下的相变存储器疲劳特性与常规疲劳特性处于同一量级;连续性SET操作会显著降低相变存储器的的疲劳特性,SET-only模式下相变存储器疲劳特性比常规疲劳特性低2个数量级;连续性RESET操作带来的失效无法逆转,而连续性SET操作带来的失效可以通过间隙性施加RESET操作得以修复.
ISSN:1006-2467
DOI:10.16183/j.cnki.jsjtu.2020.028