晶圆键合台温度均匀性提升研究

TK124%TN433; 为提升集成电路用晶圆键合台的温度均匀性,以当前主流的200 mm晶圆键合台为研究对象,开展了键合台升温实验,建立并验证了键合过程三维热量传递数值模型,研究了键合台内部温度形成与分布规律,提出了能够显著提升键合台温度均匀性的简便有效策略.结果表明:加热盘内部加热丝缠绕的非中心对称分布引起键合台工作面温度的不均匀分布,在不考虑上、下加热盘高低温区匹配的情况下,工作面整体温度均匀性为3.2％,径向温度均匀性为1.1℃;对上或下加热盘进行旋转,使得两个加热盘的高低温区分布形成空间补偿,可大幅提升键合台温度均匀性;在将上加热盘逆时针匹配旋转50°后,键合台工作面的整体温度均匀性...

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Published in西安交通大学学报 Vol. 58; no. 11; pp. 119 - 127
Main Authors 徐星宇, 李早阳, 史睿菁, 罗金平, 王成君, 李安华, 薛志平, 张慧, 张辉
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 西安交通大学能源与动力工程学院,710049,西安%中国电子科技集团公司第二研究所,030024,太原%东南大学机械工程学院,211189,南京 01.11.2024
Subjects
wafer bonding table
温度均匀性
晶圆键合台
temperature uniformity
integrated circuit
集成电路
数值模拟
numerical simulation
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ISSN0253-987X
DOI10.7652/xjtuxb202411011

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Summary:TK124%TN433; 为提升集成电路用晶圆键合台的温度均匀性,以当前主流的200 mm晶圆键合台为研究对象,开展了键合台升温实验,建立并验证了键合过程三维热量传递数值模型,研究了键合台内部温度形成与分布规律,提出了能够显著提升键合台温度均匀性的简便有效策略.结果表明:加热盘内部加热丝缠绕的非中心对称分布引起键合台工作面温度的不均匀分布,在不考虑上、下加热盘高低温区匹配的情况下,工作面整体温度均匀性为3.2％,径向温度均匀性为1.1℃;对上或下加热盘进行旋转,使得两个加热盘的高低温区分布形成空间补偿,可大幅提升键合台温度均匀性;在将上加热盘逆时针匹配旋转50°后,键合台工作面的整体温度均匀性达到1.3％,径向温度均匀性达到0.3 ℃.该研究有助于深入认识晶圆键合台内部的热量传递与温度分布规律,对于键合台的精细设计和键合工艺水平的提升具有参考意义.
ISSN:0253-987X
DOI:10.7652/xjtuxb202411011