氦离子辐照烧结碳化硅损伤效应研究

TL341; 利用中国科学院近代物理研究所320 kV高压平台提供的氦离子辐照烧结碳化硅,辐照温度从室温到1000℃,辐照注量为1015～1017 cm-2.辐照完成后,进行退火处理,然后开展透射电子显微镜、拉曼光谱、纳米硬度和热导率测试.研究发现,烧结碳化硅中氦泡形核阈值注量低于单晶碳化硅.同时,氦泡形貌和尺寸与辐照温度、退火温度有关.另外,对辐照产生的晶格缺陷、元素偏析进行了研究.结果表明,辐照产生了大量的缺陷团簇,同时氦泡生长也会发射间隙子,在氦泡周围形成间隙型位错环.在晶界处,容易发生碳原子聚集.辐照导致材料先发生硬化而后发生软化,且热导率降低....

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Published in原子能科学技术 Vol. 56; no. 3; pp. 529 - 536
Main Authors 李炳生, 杨浚源, 李君涵, 廖庆, 徐帅, 张桐民, 王志光, 刘会平, 魏孔芳
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 西南科技大学 环境友好能源材料国家重点实验室,四川 绵阳 621010 20.03.2022
中国科学院 近代物理研究所,甘肃 兰州 730000%西南科技大学 国防科技学院,四川 绵阳 621010%西南科技大学 环境友好能源材料国家重点实验室,四川 绵阳 621010%中国科学院 近代物理研究所,甘肃 兰州 730000
Subjects
烧结碳化硅;氦离子辐照;微观缺陷;氦泡
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ISSN1000-6931
DOI10.7538/yzk.2021.youxian.0116

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Summary:TL341; 利用中国科学院近代物理研究所320 kV高压平台提供的氦离子辐照烧结碳化硅,辐照温度从室温到1000℃,辐照注量为1015～1017 cm-2.辐照完成后,进行退火处理,然后开展透射电子显微镜、拉曼光谱、纳米硬度和热导率测试.研究发现,烧结碳化硅中氦泡形核阈值注量低于单晶碳化硅.同时,氦泡形貌和尺寸与辐照温度、退火温度有关.另外,对辐照产生的晶格缺陷、元素偏析进行了研究.结果表明,辐照产生了大量的缺陷团簇,同时氦泡生长也会发射间隙子,在氦泡周围形成间隙型位错环.在晶界处,容易发生碳原子聚集.辐照导致材料先发生硬化而后发生软化,且热导率降低.
ISSN:1000-6931
DOI:10.7538/yzk.2021.youxian.0116