基于并二噻吩桥联聚吡咯薄膜的微型超级电容器

O631; 将富电子的并二噻吩单元作为吡咯单体的桥联基团,得到具有四臂活性位点的吡咯单体;再利用液液界面的氧化聚合反应,直接制备得到连续、大面积的超薄聚吡咯膜.通过直接激光刻蚀的方法,制备了微型超级电容器,并研究了其通过循环伏安曲线、阻抗测试、相位角测试等表征电容器的电化学性能.结果表明,基于该薄膜的微型超级电容器的面积比电容可达1.10 mF/cm2,体积比电容可达68.4 F/cm3,等效串联电阻为4.2Ω,最大能量密度为9.50 mW·h/cm3,最大功率密度为1433 W/cm3....

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Bibliographic Details
Published in功能高分子学报 Vol. 34; no. 5; pp. 434 - 443
Main Authors 侯鹏鑫, 姜恺悦, 翟光群, 庄小东
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 常州大学材料科学与工程学院,江苏 常州 213164 2021
上海交通大学化学化工学院,金属基复合材料国家重点实验室,上海市电气绝缘与热老化重点实验室,变革性分子前沿科学中心,上海 200240%上海交通大学化学化工学院,金属基复合材料国家重点实验室,上海市电气绝缘与热老化重点实验室,变革性分子前沿科学中心,上海 200240%常州大学材料科学与工程学院,江苏 常州 213164
Subjects
聚吡咯;膜;界面聚合;微型超级电容器
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ISSN1008-9357
DOI10.14133/j.cnki.1008-9357.20210110001

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Summary:O631; 将富电子的并二噻吩单元作为吡咯单体的桥联基团,得到具有四臂活性位点的吡咯单体;再利用液液界面的氧化聚合反应,直接制备得到连续、大面积的超薄聚吡咯膜.通过直接激光刻蚀的方法,制备了微型超级电容器,并研究了其通过循环伏安曲线、阻抗测试、相位角测试等表征电容器的电化学性能.结果表明,基于该薄膜的微型超级电容器的面积比电容可达1.10 mF/cm2,体积比电容可达68.4 F/cm3,等效串联电阻为4.2Ω,最大能量密度为9.50 mW·h/cm3,最大功率密度为1433 W/cm3.
ISSN:1008-9357
DOI:10.14133/j.cnki.1008-9357.20210110001