电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT

TN385; 本文设计并制作了fT>400 GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT).采用窄栅槽技术优化了寄生电阻.器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50 μm.最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1 265 mS/mm.即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz.该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 43; no. 3; pp. 331 - 335
Main Authors 封瑞泽, 曹书睿, 冯识谕, 周福贵, 刘同, 苏永波, 金智
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学集成电路学院,北京 100049%中国科学院微电子研究所,高频高压器件与集成电路研究中心,北京 100029 01.06.2024
中国科学院微电子研究所,高频高压器件与集成电路研究中心,北京 100029
Subjects
maximum oscillation frequency(fmax)
InP HEMTs
电流增益截止频率(fT)
gate recess
铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMTs)
栅槽
最大振荡频率(fmax)
current gain cutoff frequency(fT)
InGaAs/InAlAs
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2024.03.006

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Summary:TN385; 本文设计并制作了fT>400 GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT).采用窄栅槽技术优化了寄生电阻.器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50 μm.最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1 265 mS/mm.即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz.该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2024.03.006