基于边缘优化设计的低损耗Si3N4光功率分束器

O59%O439; 随着信息技术的发展,市场对于更小型化、更高效光器件的需求不断增加.采用互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,成功制备了 Si3N4光功率分束器并对其进行测试.结果表明,在1 550nm波长下,边缘优化的1x8功率分束器的总损耗仅为1.30 dB,且其体积相较于传统设计可减小30％.本研究应用逆向优化算法,突破了传统设计仅能针对规则图形设计的限制,为实现小尺寸、低损耗的光功率分束器提供了一种可行途径....

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Published in深圳大学学报（理工版） Vol. 41; no. 5; pp. 532 - 535
Main Authors 黄谦睿, 梁耿钦, 陈宇泰, 孙怡雯, 闫培光, 屈军乐
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 深圳大学物理与光电工程学院,深圳市激光工程重点实验室,广东深圳 518060%国防科技大学理学院,材料科学实验中心,湖南长沙 410073%深圳大学生物医学工程学院,广东深圳 518073 01.09.2024
Subjects
micro-nano photonic devices
edge optimization
边缘优化
集成光学
微纳光子器件
逆向优化
inverse optimization
光功率分束器
光学
optical power splitter
optics
integrated optics
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ISSN1000-2618
DOI10.3724/SP.J.1249.2024.05532

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Summary:O59%O439; 随着信息技术的发展,市场对于更小型化、更高效光器件的需求不断增加.采用互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,成功制备了 Si3N4光功率分束器并对其进行测试.结果表明,在1 550nm波长下,边缘优化的1x8功率分束器的总损耗仅为1.30 dB,且其体积相较于传统设计可减小30％.本研究应用逆向优化算法,突破了传统设计仅能针对规则图形设计的限制,为实现小尺寸、低损耗的光功率分束器提供了一种可行途径.
ISSN:1000-2618
DOI:10.3724/SP.J.1249.2024.05532