基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计

O43; 基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成.在片测试结果表明,200～230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB.频率为210～230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 41; no. 6; pp. 1037 - 1041
Main Authors 陈艳, 孟范忠, 方园, 张傲, 高建军
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051%华东师范大学物理与电子科学学院,上海200241 01.12.2022
Subjects
功率放大器(PA)
太赫兹集成电路(TMIC)
铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2022.06.013

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Summary:O43; 基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成.在片测试结果表明,200～230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB.频率为210～230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.06.013