InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征研究

TN215; 通过基于正性光刻胶的不同像元尺寸铟柱阵列及器件制备,研究InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征.分别研制了像元尺寸为50μm×50μm、30μm×30μm、15μm×15μm的面阵探测器的铟柱阵列,并制备出InSb面阵探测器,利用高倍光学显微镜和焦平面测试系统对制备的芯片表面形貌、器件连通性及性能进行了检测与分析.研究结果表明:当像元尺寸为50μm×50μm时,芯片表面形貌和器件连通性测试结果较好;随着像元尺寸减小,芯片表面会出现铟柱相连或铟柱缺失缺陷,器件连通性测试结果与表面形貌相吻合.铟柱相连缺陷是由光刻剥离时残留铟渣引起的铟相连造成;铟柱缺失缺陷是由光刻时残留光刻胶底膜引起的...

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 37; no. 3; pp. 325 - 350
Main Authors 侯治锦, 傅莉, 鲁正雄, 司俊杰, 王巍, 吕衍秋
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 红外探测器技术航空科技重点实验室,河南洛阳 471099 01.06.2018
西北工业大学电子信息学院,陕西西安 710072
红外探测器技术航空科技重点实验室,河南洛阳 471099%西北工业大学电子信息学院,陕西西安,710072%中国空空导弹研究院,河南洛阳 471099
中国空空导弹研究院,河南洛阳 471099
Subjects
铟柱阵列
面阵探测器
缺陷
indium bump arrays
defective
focal plane array
indium bump defects
铟柱缺陷
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2018.03.012

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Summary:TN215; 通过基于正性光刻胶的不同像元尺寸铟柱阵列及器件制备,研究InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征.分别研制了像元尺寸为50μm×50μm、30μm×30μm、15μm×15μm的面阵探测器的铟柱阵列,并制备出InSb面阵探测器,利用高倍光学显微镜和焦平面测试系统对制备的芯片表面形貌、器件连通性及性能进行了检测与分析.研究结果表明:当像元尺寸为50μm×50μm时,芯片表面形貌和器件连通性测试结果较好;随着像元尺寸减小,芯片表面会出现铟柱相连或铟柱缺失缺陷,器件连通性测试结果与表面形貌相吻合.铟柱相连缺陷是由光刻剥离时残留铟渣引起的铟相连造成;铟柱缺失缺陷是由光刻时残留光刻胶底膜引起的铟柱缺失造成.器件相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,缺失缺陷元的响应电压基本为0,其周围最相邻探测单元响应电压相比正常元增加了约25％.器件缺陷元的研究结果,对通过优化探测器制作水平提升其性能具有重要参考意义.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2018.03.012