半胱氨酸改性纳米Ag/PVDF复合材料制备及介电性能研究

TB332; 以半胱氨酸为改性剂,对纳米Ag进行表面修饰,制备了系列改性纳米 Ag/PVDF 复合材料;通过对复合材料的介电性能进行研究,结果表明,改性后纳米 Ag 在 PVDF 基体中的填充量能够得到迅速提高,体积分数可达到25%以上而不发生导电现象;当改性纳米Ag/PVDF复合材料中纳米Ag体积含量达到20%时,复合材料的相对介电常数达到了115,介电损耗保持在0.09以下;通过扫描电子显微镜、傅立叶红外光谱和 X射线衍射图谱分析表明,这种高介电常数,低介电损耗的性质来源于纳米Ag在聚合物基体中分散性的提高,改性纳米 Ag 表面连接的半胱氨酸改善了纳米 Ag 粒子与 PVDF 基体的界面相...

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Published in功能材料 Vol. 49; no. 5; pp. 5151 - 5155
Main Authors 胡立, 姚军龙, 游峰, 江学良, 李振强, 严立明, 祁耀斌
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 武汉工程大学 材料科学与工程学院,武汉,430073%湖北宏钊建材有限责任公司,麻城,438300%武汉理工大学 光纤传感技术国家工程实验室,武汉,430070 30.05.2018
Subjects
介电常数
介电损耗
cysteine
改性纳米Ag
半胱氨酸
modified nano-Ag
dielectric loss
PVDF
dielectric constant
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ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2018.05.026

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Summary:TB332; 以半胱氨酸为改性剂,对纳米Ag进行表面修饰,制备了系列改性纳米 Ag/PVDF 复合材料;通过对复合材料的介电性能进行研究,结果表明,改性后纳米 Ag 在 PVDF 基体中的填充量能够得到迅速提高,体积分数可达到25%以上而不发生导电现象;当改性纳米Ag/PVDF复合材料中纳米Ag体积含量达到20%时,复合材料的相对介电常数达到了115,介电损耗保持在0.09以下;通过扫描电子显微镜、傅立叶红外光谱和 X射线衍射图谱分析表明,这种高介电常数,低介电损耗的性质来源于纳米Ag在聚合物基体中分散性的提高,改性纳米 Ag 表面连接的半胱氨酸改善了纳米 Ag 粒子与 PVDF 基体的界面相容性,提高了 PVDF 结晶体和纳米 Ag 在基体中的分散均一性,降低了聚合物基体内纳米 Ag 团聚和导电网络的形成几率,有效改善了金属/聚合物介电材料的加工条件,提高了聚合物的介电性能.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2018.05.026