基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器

TN36; 本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器.该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高了探测器在近红外波段响应特性.并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题,提出了解决方案.测试结果表明,该器件的量子效率可达80％,峰值波长为940 nm,光响应度达到0.55 A/W,暗电流降至700 pA,响应时间为200 ns....

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Bibliographic Details
Published in光电工程 Vol. 48; no. 5; pp. 40 - 45
Main Authors 郑泽宇, 罗谦, 徐开凯, 刘钟远, 朱坤峰
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054%中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060%中国电子科技集团第二十四研究所,重庆 400060 15.05.2021
Subjects
全硅PIN光电探测器
量子效率
光响应度
暗电流
黑硅
响应速度
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ISSN1003-501X
DOI10.12086/oee.2021.200364

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Summary:TN36; 本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器.该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高了探测器在近红外波段响应特性.并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题,提出了解决方案.测试结果表明,该器件的量子效率可达80％,峰值波长为940 nm,光响应度达到0.55 A/W,暗电流降至700 pA,响应时间为200 ns.
ISSN:1003-501X
DOI:10.12086/oee.2021.200364