晶化温度与砷压对Ga在GaAs(001)表面扩散限制的研究

O47; 采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构.利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴晶化过程中,液滴内Ga原子存在向外迁移和向下刻蚀两种扩散行为,且扩散行为均受到衬底温度和As压力大小的影响.其中As压主要影响Ga原子在表面横向扩散,而衬底温度主要影响Ga原子在纵向刻蚀扩散.根据量子环结构形貌演变趋势分析了圆盘半径ΔR、Rp与沉积量的关系,得出形成扩散盘的Ga临界沉积量为10 mL,并总结出采用降温结晶方式制备GaAs同心量子环的工艺方法....

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Published in功能材料 Vol. 52; no. 11; pp. 11017 - 11022
Main Authors 王一, 丁召, 杨晨, 罗子江, 王继红, 李军丽, 郭祥
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 教育部半导体功率器件可靠性工程中心,贵阳550025%贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 30.11.2021
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025%贵州财经大学信息学院,贵阳550025%贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025%教育部半导体功率器件可靠性工程中心,贵阳550025
贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025
教育部半导体功率器件可靠性工程中心,贵阳550025
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025%贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025
Subjects
Ga液滴;液滴外延;量子环;分子束外延
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ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2021.11.003

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Summary:O47; 采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构.利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴晶化过程中,液滴内Ga原子存在向外迁移和向下刻蚀两种扩散行为,且扩散行为均受到衬底温度和As压力大小的影响.其中As压主要影响Ga原子在表面横向扩散,而衬底温度主要影响Ga原子在纵向刻蚀扩散.根据量子环结构形貌演变趋势分析了圆盘半径ΔR、Rp与沉积量的关系,得出形成扩散盘的Ga临界沉积量为10 mL,并总结出采用降温结晶方式制备GaAs同心量子环的工艺方法.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2021.11.003