图案化In2O3:Sn薄膜制备及显影剂对图案制备的影响研究

TB332; 功能薄膜的图案化是微电子加工中不可或缺的工序,目前已经成为制约我国微型化集成电路发展的关键因素.本研究以制备低成本且高质量的图案化In2O3:Sn薄膜为目的,摒弃常规且工艺复杂的干法刻蚀或湿法刻蚀的研究思路,转而向一种化学修饰的溶胶凝胶技术探索.利用化学修饰后的纳米级溶质颗粒的紫外感光特性,以及曝光前后溶质颗粒在有机溶剂中发生的溶解度变化,通过溶胶凝胶工艺成膜,后经曝光、显影、热处理等工序,形成图案化的In2O3:Sn薄膜.重点探索了显影剂配方对薄膜图案制备的影响规律.该方法去除了包含光刻胶制备、剥离以及刻蚀等一系列复杂工序,薄膜图案化制备简单且质量较高,是一种新的值得继续探究并...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in功能材料 Vol. 52; no. 3; pp. 3092 - 3097
Main Authors 任洋, 贺海燕, 赵高扬, 王允威
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 攀枝花学院生物与化学工程学院钒钛资源综合利用四川省重点实验室,四川攀枝花617000 30.03.2021
西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048%西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048%西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048
西安理工大学现代分析测试中心,西安710048
Subjects
ITO薄膜
显影剂
溶胶-凝胶法
图案化
Online AccessGet full text
ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2021.03.013

Cover

More Information
Summary:TB332; 功能薄膜的图案化是微电子加工中不可或缺的工序,目前已经成为制约我国微型化集成电路发展的关键因素.本研究以制备低成本且高质量的图案化In2O3:Sn薄膜为目的,摒弃常规且工艺复杂的干法刻蚀或湿法刻蚀的研究思路,转而向一种化学修饰的溶胶凝胶技术探索.利用化学修饰后的纳米级溶质颗粒的紫外感光特性,以及曝光前后溶质颗粒在有机溶剂中发生的溶解度变化,通过溶胶凝胶工艺成膜,后经曝光、显影、热处理等工序,形成图案化的In2O3:Sn薄膜.重点探索了显影剂配方对薄膜图案制备的影响规律.该方法去除了包含光刻胶制备、剥离以及刻蚀等一系列复杂工序,薄膜图案化制备简单且质量较高,是一种新的值得继续探究并广泛推广的薄膜图案化技术.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2021.03.013