散乱法によるゲルの構造解析

電磁波散乱によるゲル構造解析では,ゲルモデルの構築が必要となる.ゲルは本質的に不均質構造をとる.均質構造が階層的に積み重なったと考えてゲルの不均質構造モデルを構築し,電磁波散乱の実験結果との比較を通じてゲル構造を解析した例を示した....

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Published in高分子 Vol. 48; no. 6; pp. 396 - 399
Main Author 梶原, 莞爾
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 高分子学会 01.06.1999
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ISSN0454-1138
2185-9825
DOI10.1295/kobunshi.48.396

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Summary:電磁波散乱によるゲル構造解析では,ゲルモデルの構築が必要となる.ゲルは本質的に不均質構造をとる.均質構造が階層的に積み重なったと考えてゲルの不均質構造モデルを構築し,電磁波散乱の実験結果との比較を通じてゲル構造を解析した例を示した.
ISSN:0454-1138
2185-9825
DOI:10.1295/kobunshi.48.396