APA (7th ed.) Citation

谷, 貴., 後藤, 啓., & 毛利, 尚. (2016). 絶縁性Si3N4セラミックスの放電加工における導電性被膜の形成メカニズムに関する一考察. 電気加工学会誌, 50(124), 112-118. https://doi.org/10.2526/jseme.50.112

Chicago Style (17th ed.) Citation

谷, 貴幸, 啓光 後藤, and 尚武 毛利. "絶縁性Si3N4セラミックスの放電加工における導電性被膜の形成メカニズムに関する一考察." 電気加工学会誌 50, no. 124 (2016): 112-118. https://doi.org/10.2526/jseme.50.112.

MLA (9th ed.) Citation

谷, 貴幸, et al. "絶縁性Si3N4セラミックスの放電加工における導電性被膜の形成メカニズムに関する一考察." 電気加工学会誌, vol. 50, no. 124, 2016, pp. 112-118, https://doi.org/10.2526/jseme.50.112.

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