高集積化・高速化のための高信頼性配線技術

21世紀に量産をめざすギガビットの超高密度メモリーやGHzで動作する超高速のロジックLSIには,RC配線遅延を抑制できる多層金属配線が必要である.多層金属配線の許容電流密度を増大させることによって,配線の断面積を縮小することが可能となり,RC遅延の一因である配線間容量を低減できる.しかし,現状のWビアとAI配線を用いた多層配線では許容電流密度の向上が困難となりつつある.ここでは,エレクトロマイグレーションによる配線不良発生機構の理解をもとにWビアの問題点を抽出し,21世紀の多層配線構造の展望について述べる....

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Published in応用物理 Vol. 66; no. 11; pp. 1181 - 1185
Main Author 金子, 尚史
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 1997
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ISSN0369-8009
2188-2290
DOI10.11470/oubutsu1932.66.1181

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Abstract 21世紀に量産をめざすギガビットの超高密度メモリーやGHzで動作する超高速のロジックLSIには,RC配線遅延を抑制できる多層金属配線が必要である.多層金属配線の許容電流密度を増大させることによって,配線の断面積を縮小することが可能となり,RC遅延の一因である配線間容量を低減できる.しかし,現状のWビアとAI配線を用いた多層配線では許容電流密度の向上が困難となりつつある.ここでは,エレクトロマイグレーションによる配線不良発生機構の理解をもとにWビアの問題点を抽出し,21世紀の多層配線構造の展望について述べる.
AbstractList 21世紀に量産をめざすギガビットの超高密度メモリーやGHzで動作する超高速のロジックLSIには,RC配線遅延を抑制できる多層金属配線が必要である.多層金属配線の許容電流密度を増大させることによって,配線の断面積を縮小することが可能となり,RC遅延の一因である配線間容量を低減できる.しかし,現状のWビアとAI配線を用いた多層配線では許容電流密度の向上が困難となりつつある.ここでは,エレクトロマイグレーションによる配線不良発生機構の理解をもとにWビアの問題点を抽出し,21世紀の多層配線構造の展望について述べる.
Author 金子, 尚史
Author_xml – sequence: 1
  fullname: 金子, 尚史
  organization: (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
BookMark eNpNkL1KA0EUhQeJYIx5A19h472z87MDNhL8JWCj9TKzzmqWmMhuUtgliinEVIKIFjGViGBroeDDrCbuW7jBIN7i3u8cLqc4i6TQbDUtIcsIFUQmYaXVMZ120kHl0ooQuenhHClS9DyHUgUFUgRXKMcDUAuknCQR5MOl4lwWyWr2fJvd9ydPg6-rm_T8bSq7wyn3XtLeMD3r5ZCbnx-j7OF93H3MLgaT17vxZfd7dL1E5kPdSGx5dktkf2N9r7rl1HY3t6trNSeiyMFhKjQSFLKQawXUcI2USYHCKKVYCJK5QkOomBVSGy4OjAkEtxpDQAiYdUtk5zc3Str60Poncf1Yx6e-jtv1oGH9fw34QviIsz2t4u8pONKxH2n3B0hlb3k
ContentType Journal Article
Copyright 社団法人 応用物理学会
Copyright_xml – notice: 社団法人 応用物理学会
DOI 10.11470/oubutsu1932.66.1181
DatabaseTitleList
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
Discipline Physics
EISSN 2188-2290
EndPage 1185
ExternalDocumentID article_oubutsu1932_66_11_66_11_1181_article_char_ja
GroupedDBID .LE
ALMA_UNASSIGNED_HOLDINGS
KQ8
RJT
ID FETCH-LOGICAL-j2150-49fb70914f5a902b5a1247616b9994f07436a0f94e67ab56dbbc65ea1f010c4e3
ISSN 0369-8009
IngestDate Wed Sep 03 06:30:03 EDT 2025
IsDoiOpenAccess true
IsOpenAccess true
IsPeerReviewed false
IsScholarly true
Issue 11
Language Japanese
LinkModel OpenURL
MergedId FETCHMERGED-LOGICAL-j2150-49fb70914f5a902b5a1247616b9994f07436a0f94e67ab56dbbc65ea1f010c4e3
OpenAccessLink https://www.jstage.jst.go.jp/article/oubutsu1932/66/11/66_11_1181/_article/-char/ja
PageCount 5
ParticipantIDs jstage_primary_article_oubutsu1932_66_11_66_11_1181_article_char_ja
PublicationCentury 1900
PublicationDate 1997
PublicationDateYYYYMMDD 1997-01-01
PublicationDate_xml – year: 1997
  text: 1997
PublicationDecade 1990
PublicationTitle 応用物理
PublicationTitleAlternate 応用物理
PublicationYear 1997
Publisher 公益社団法人 応用物理学会
Publisher_xml – name: 公益社団法人 応用物理学会
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– reference: 33) 角原由美,山田義明,吉川公麿,第56回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 26p-ZQ-8 (1995).
SSID ssj0000579557
ssib000972243
ssib021063895
ssib002483696
ssib008070171
ssib002068223
Score 1.4616961
Snippet 21世紀に量産をめざすギガビットの超高密度メモリーやGHzで動作する超高速のロジックLSIには,RC配線遅延を抑制できる多層金属配線が必要である.多層金属配線の許容電流密...
SourceID jstage
SourceType Publisher
StartPage 1181
Title 高集積化・高速化のための高信頼性配線技術
URI https://www.jstage.jst.go.jp/article/oubutsu1932/66/11/66_11_1181/_article/-char/ja
Volume 66
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
ispartofPNX 応用物理, 1997/11/10, Vol.66(11), pp.1181-1185
journalDatabaseRights – providerCode: PRVAFT
  databaseName: Open Access Digital Library
  customDbUrl:
  eissn: 2188-2290
  dateEnd: 20021231
  omitProxy: true
  ssIdentifier: ssj0000579557
  issn: 0369-8009
  databaseCode: KQ8
  dateStart: 19320101
  isFulltext: true
  titleUrlDefault: http://grweb.coalliance.org/oadl/oadl.html
  providerName: Colorado Alliance of Research Libraries
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwrV3Ni9QwFC_riuBF_MRvPJiTdGza5gv0kM52WAQFYRf2VppOe5jD7uLOXDzNKHoQ9ySI6GHdk4jg1YOCf8zorvNf-F7aznRgDusiDOX1vbyXvCST_hJeEse5LQSAWEW7Ls2ZcfHINzflQeCanKYi9IJM2ODxh4_46nr4YINtLJ2434haGvRNK3u6cF_JcVoVeNCuuEv2H1p2ahQYQEP7whNaGJ5HamMSK6IjoiQSKiKSk1gQrYhcITEjsk0UcAIiAxJFc4kxvqEzn4YSHVcEioDwkZ6JpuohiTpEU8vxSNQmMUeDWljLzOYuSCSI0lakURpLVCnvKazRMBYATKk2plch0RIJqdAF5HhEThcOrW3gUVTSKyiE3mEteDYjyLdDIn-2jIHBLdMuZ-WgWGYVYaGwqsCVGEXA0QEWNgqIYtZFDb87RylhVSDNrRrUp26MrgFX8Hn2yvE6tzyAO9DB_PL-0vrzUF4KU_8NaGOwxz27DeAAr2zxRykUGMa5NTCD_s4AEXOL89ZMe-6476ozJY3UCecwUaueqJbUiXBnXtKD6cFJXwDQwpiExw10rQQAtAYa87hsokE_lNPbHPFdwvBPZ7MDn1o4y6ZLlrhvmZVn59aVV21GRQ_vLvAPYF0PJjl1gKTFbGtnnTPVZOuWLv045yz10vPOKRv0nO1ccO5NvrybfHh5-Hn39-u34-ff8XW4h_To63i0N342AgKYv37uTz7-OBh-mrzYPfz2_uDV8M_-m4vOeidea6-61W0ibg9greeGqjAC0HFYsFR5vmEpQFvBKTcwRwoLhNI89QoV5lykhvGuMRlneUoLj3pZmAeXnOXNrc38MoYDFkoZbgruU6jDrslo4Is867Ic9NP8itMu3U62yyNjkuO06tX_YuWac7o8cRlXDa87y_0ng_wG4Oi-uWl7y198V6L8
linkProvider Colorado Alliance of Research Libraries
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rft.genre=article&rft.atitle=%E9%AB%98%E9%9B%86%E7%A9%8D%E5%8C%96%E3%83%BB%E9%AB%98%E9%80%9F%E5%8C%96%E3%81%AE%E3%81%9F%E3%82%81%E3%81%AE%E9%AB%98%E4%BF%A1%E9%A0%BC%E6%80%A7%E9%85%8D%E7%B7%9A%E6%8A%80%E8%A1%93&rft.jtitle=%E5%BF%9C%E7%94%A8%E7%89%A9%E7%90%86&rft.au=%E9%87%91%E5%AD%90%2C+%E5%B0%9A%E5%8F%B2&rft.date=1997&rft.pub=%E5%85%AC%E7%9B%8A%E7%A4%BE%E5%9B%A3%E6%B3%95%E4%BA%BA+%E5%BF%9C%E7%94%A8%E7%89%A9%E7%90%86%E5%AD%A6%E4%BC%9A&rft.issn=0369-8009&rft.eissn=2188-2290&rft.volume=66&rft.issue=11&rft.spage=1181&rft.epage=1185&rft_id=info:doi/10.11470%2Foubutsu1932.66.1181&rft.externalDocID=article_oubutsu1932_66_11_66_11_1181_article_char_ja
thumbnail_l http://covers-cdn.summon.serialssolutions.com/index.aspx?isbn=/lc.gif&issn=0369-8009&client=summon
thumbnail_m http://covers-cdn.summon.serialssolutions.com/index.aspx?isbn=/mc.gif&issn=0369-8009&client=summon
thumbnail_s http://covers-cdn.summon.serialssolutions.com/index.aspx?isbn=/sc.gif&issn=0369-8009&client=summon