高集積化・高速化のための高信頼性配線技術

21世紀に量産をめざすギガビットの超高密度メモリーやGHzで動作する超高速のロジックLSIには,RC配線遅延を抑制できる多層金属配線が必要である.多層金属配線の許容電流密度を増大させることによって,配線の断面積を縮小することが可能となり,RC遅延の一因である配線間容量を低減できる.しかし,現状のWビアとAI配線を用いた多層配線では許容電流密度の向上が困難となりつつある.ここでは,エレクトロマイグレーションによる配線不良発生機構の理解をもとにWビアの問題点を抽出し,21世紀の多層配線構造の展望について述べる....

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Bibliographic Details
Published in応用物理 Vol. 66; no. 11; pp. 1181 - 1185
Main Author 金子, 尚史
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 1997
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ISSN0369-8009
2188-2290
DOI10.11470/oubutsu1932.66.1181

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Summary:21世紀に量産をめざすギガビットの超高密度メモリーやGHzで動作する超高速のロジックLSIには,RC配線遅延を抑制できる多層金属配線が必要である.多層金属配線の許容電流密度を増大させることによって,配線の断面積を縮小することが可能となり,RC遅延の一因である配線間容量を低減できる.しかし,現状のWビアとAI配線を用いた多層配線では許容電流密度の向上が困難となりつつある.ここでは,エレクトロマイグレーションによる配線不良発生機構の理解をもとにWビアの問題点を抽出し,21世紀の多層配線構造の展望について述べる.
ISSN:0369-8009
2188-2290
DOI:10.11470/oubutsu1932.66.1181