微細化の進むアルミニウム単電子デバイス技術
アルミニウム単電子デバイスは理想的なゲート変調を示し,高電流密度が得られ,再現牲に優れ,往々にして完全に動作解析が珂能である.この素子の動作温度は微細加工技術の進展により大きな向上を見せている,われわれは電子ビームリソグラフィにより20nmの島を有ずるアルミニウム単電子デバイスを作った.この素子で,他には類を見ない理想的なゲート変調を高い温度で観測し,その電荷計としての動作を100K以上の渥度まで確認した.また電気化学的微細加工法(ACME法)を開発し,アルミニウム素子の動作温度を,最高で約10倍にすることが簡便にでぎた.デジタル回路の一例として,これら作製技衛の延長により室温動作も十分可能な...
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Published in | 応用物理 Vol. 66; no. 2; pp. 141 - 145 |
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Main Authors | , , |
Format | Journal Article |
Language | Japanese |
Published |
公益社団法人 応用物理学会
1997
|
Online Access | Get full text |
ISSN | 0369-8009 2188-2290 |
DOI | 10.11470/oubutsu1932.66.141 |
Cover
Abstract | アルミニウム単電子デバイスは理想的なゲート変調を示し,高電流密度が得られ,再現牲に優れ,往々にして完全に動作解析が珂能である.この素子の動作温度は微細加工技術の進展により大きな向上を見せている,われわれは電子ビームリソグラフィにより20nmの島を有ずるアルミニウム単電子デバイスを作った.この素子で,他には類を見ない理想的なゲート変調を高い温度で観測し,その電荷計としての動作を100K以上の渥度まで確認した.また電気化学的微細加工法(ACME法)を開発し,アルミニウム素子の動作温度を,最高で約10倍にすることが簡便にでぎた.デジタル回路の一例として,これら作製技衛の延長により室温動作も十分可能な単電子フラッシュメモリーを提案し,その動作を数値解析により示した. |
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AbstractList | アルミニウム単電子デバイスは理想的なゲート変調を示し,高電流密度が得られ,再現牲に優れ,往々にして完全に動作解析が珂能である.この素子の動作温度は微細加工技術の進展により大きな向上を見せている,われわれは電子ビームリソグラフィにより20nmの島を有ずるアルミニウム単電子デバイスを作った.この素子で,他には類を見ない理想的なゲート変調を高い温度で観測し,その電荷計としての動作を100K以上の渥度まで確認した.また電気化学的微細加工法(ACME法)を開発し,アルミニウム素子の動作温度を,最高で約10倍にすることが簡便にでぎた.デジタル回路の一例として,これら作製技衛の延長により室温動作も十分可能な単電子フラッシュメモリーを提案し,その動作を数値解析により示した. |
Author | 陳, 啓東 蔡, 兆申 中村, 泰信 |
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