微細化の進むアルミニウム単電子デバイス技術

アルミニウム単電子デバイスは理想的なゲート変調を示し,高電流密度が得られ,再現牲に優れ,往々にして完全に動作解析が珂能である.この素子の動作温度は微細加工技術の進展により大きな向上を見せている,われわれは電子ビームリソグラフィにより20nmの島を有ずるアルミニウム単電子デバイスを作った.この素子で,他には類を見ない理想的なゲート変調を高い温度で観測し,その電荷計としての動作を100K以上の渥度まで確認した.また電気化学的微細加工法(ACME法)を開発し,アルミニウム素子の動作温度を,最高で約10倍にすることが簡便にでぎた.デジタル回路の一例として,これら作製技衛の延長により室温動作も十分可能な...

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Published in応用物理 Vol. 66; no. 2; pp. 141 - 145
Main Authors 中村, 泰信, 陳, 啓東, 蔡, 兆申
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 1997
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ISSN0369-8009
2188-2290
DOI10.11470/oubutsu1932.66.141

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Summary:アルミニウム単電子デバイスは理想的なゲート変調を示し,高電流密度が得られ,再現牲に優れ,往々にして完全に動作解析が珂能である.この素子の動作温度は微細加工技術の進展により大きな向上を見せている,われわれは電子ビームリソグラフィにより20nmの島を有ずるアルミニウム単電子デバイスを作った.この素子で,他には類を見ない理想的なゲート変調を高い温度で観測し,その電荷計としての動作を100K以上の渥度まで確認した.また電気化学的微細加工法(ACME法)を開発し,アルミニウム素子の動作温度を,最高で約10倍にすることが簡便にでぎた.デジタル回路の一例として,これら作製技衛の延長により室温動作も十分可能な単電子フラッシュメモリーを提案し,その動作を数値解析により示した.
ISSN:0369-8009
2188-2290
DOI:10.11470/oubutsu1932.66.141