Ga, In湿式製錬プロセスへの支持液膜の応用

液膜法の実用化の観点から, GaおよびInの湿式製錬プロセスへの支持液膜法の応用を検討した.このプロセスは3段の溶媒抽出法を含んでいる.本研究では, このうちイソプロピルエーテル (IPE) によるGa抽出段とトリブチルリン酸 (TBP) によるIn抽出段を支持液膜法の応用の対象とした. IPE抽出系におけるGaとTBP抽出系のInの透過流束は被抽出液側水相境膜拡散律速の挙動を示した.この条件下において被抽出液中よりGaおよびInを99%回収するのに必要な膜長を概算し, 何れの系でも約10mの値を得た.また, 支持液膜法における分離能は, 双方の系において平衡分離の場合より小さいことが示された...

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Published in化学工学論文集 Vol. 15; no. 2; pp. 381 - 387
Main Authors 藤縄, 勝彦, 今石, 宣之, 宝沢, 光紀, 秋山, 誠, 庄野, 厚
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 化学工学会 1989
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ISSN0386-216X
1349-9203
DOI10.1252/kakoronbunshu.15.381

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Summary:液膜法の実用化の観点から, GaおよびInの湿式製錬プロセスへの支持液膜法の応用を検討した.このプロセスは3段の溶媒抽出法を含んでいる.本研究では, このうちイソプロピルエーテル (IPE) によるGa抽出段とトリブチルリン酸 (TBP) によるIn抽出段を支持液膜法の応用の対象とした. IPE抽出系におけるGaとTBP抽出系のInの透過流束は被抽出液側水相境膜拡散律速の挙動を示した.この条件下において被抽出液中よりGaおよびInを99%回収するのに必要な膜長を概算し, 何れの系でも約10mの値を得た.また, 支持液膜法における分離能は, 双方の系において平衡分離の場合より小さいことが示された.
ISSN:0386-216X
1349-9203
DOI:10.1252/kakoronbunshu.15.381