Flow Instability in Metallic Melt of Silicon

近年, 画像情報等の処理のために大容量高速の半導体メモリーに対する期待が大きくなってきている. このギガビットメモリーの実現を支えるシリコン単結晶は, 液体金属シリコン結晶を固化して得ることが可能である. この結晶の育成中に生じる液体金属シリコンの対流の不安定は結晶中の不純物分布に大きく影響をするため, その対流を理解し制御することが必要である. ここでは, 実際の液体シリコンの系の流れ場に対して, X線透視法を用いた可視化実験と数値計算, および線形安定理論による流れ場の安定解析結果等を紹介し, 最後に今後の課題等について紹介する....

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Bibliographic Details
Published inButsuri Vol. 52; no. 2; pp. 90 - 96
Main Author Kakimoto, Koichi
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published The Physical Society of Japan 1997
一般社団法人 日本物理学会
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ISSN0029-0181
2423-8872
DOI10.11316/butsuri1946.52.90

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Summary:近年, 画像情報等の処理のために大容量高速の半導体メモリーに対する期待が大きくなってきている. このギガビットメモリーの実現を支えるシリコン単結晶は, 液体金属シリコン結晶を固化して得ることが可能である. この結晶の育成中に生じる液体金属シリコンの対流の不安定は結晶中の不純物分布に大きく影響をするため, その対流を理解し制御することが必要である. ここでは, 実際の液体シリコンの系の流れ場に対して, X線透視法を用いた可視化実験と数値計算, および線形安定理論による流れ場の安定解析結果等を紹介し, 最後に今後の課題等について紹介する.
ISSN:0029-0181
2423-8872
DOI:10.11316/butsuri1946.52.90