InGaAs/InGaAsP/InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性

本文论述了暗电流I和光倍增因子Mp与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与Mp-T特性。当温度由20℃升至90℃时,暗电流将增大10～30倍;而由20℃升至60℃时,光倍增因字Mp将减小1/3左右。文中还建议以严格的高低温循环来淘汰可能早期失效的SAGM-APD管芯。...

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Published inGuangtongxin Yanjiu pp. 48 - 55
Main Author 丁国庆
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 《光通信研究》编辑部 01.01.1990
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ISSN1005-8788

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Summary:本文论述了暗电流I和光倍增因子Mp与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与Mp-T特性。当温度由20℃升至90℃时,暗电流将增大10～30倍;而由20℃升至60℃时,光倍增因字Mp将减小1/3左右。文中还建议以严格的高低温循环来淘汰可能早期失效的SAGM-APD管芯。
ISSN:1005-8788