异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究

为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型（TLM）,对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的退火条件下实现室温比接触电阻为3.84×10-4Ω·cm2,同时,对欧姆接触的温度特性进行了研究,发现随着温度降低比接触电阻增加,在240~353 K温度范围内界面电流传输主要为热电子-场发射机制（TFE）;240 K以下,接触呈现肖特基特性.利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）分别对界面处的扩散程度和化学反应进行了分析,发现经过480℃、30 s退火后样品界面处存在剧烈的互扩散,反应产物Au10In3有利于改善Au/p-In...

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 34; no. 6; pp. 721 - 725
Main Author 曹高奇 唐恒敬 李淘 邵秀梅 李雪 龚海梅
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 2015
中国科学院大学,北京100049%中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
Subjects
p-InP
X射线衍射仪（XRD）
扫描电子显微镜（SEM）
欧姆接触
比接触电阻
ohmic contact
p-InP
扫描电子显微镜(SEM)
欧姆接触
Xray diffractometer (XRD)
scanning electron microscope(SEM)
比接触电阻
X射线衍射仪(XRD)
special contact resistance
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2015.06.016

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Summary:为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型（TLM）,对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的退火条件下实现室温比接触电阻为3.84×10-4Ω·cm2,同时,对欧姆接触的温度特性进行了研究,发现随着温度降低比接触电阻增加,在240~353 K温度范围内界面电流传输主要为热电子-场发射机制（TFE）;240 K以下,接触呈现肖特基特性.利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）分别对界面处的扩散程度和化学反应进行了分析,发现经过480℃、30 s退火后样品界面处存在剧烈的互扩散,反应产物Au10In3有利于改善Au/p-InP的接触性能.
Bibliography:31-1577/TN
CAO Gao-Qi,TANG Heng-Jing,LI Tao,SHAO Xiu-Mei,LI Xue,GONG Hai-Mei（ 1. State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China; 2. Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China; 3. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China）
p-InP; ohmic contact; special contact resistance; scanning electron microscope（SEM）; Xray diffractometer（XRD）
The contact characteristics of Au / p-InP in hetero-junction InP /InGaAs detector were studied in this work. Under the annealing condition of 480℃ for 30 s,the ohmic contact was formed with the room-temperature special contact resistance 3. 84 × 10~（- 4）Ω·cm~2. Temperature-dependent characteristics of ohmic contact were investigated. The results indicate that the special contact resistance increases with decreasing temperature,the current transmission mechanism at the interface is thermion-field emission
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2015.06.016