基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源

基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层（缓冲层、外延层）材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6GHz测得最高倍频效率为2.7%，在147.4～155GHz效率典型值为1.3%.G波段二倍频器在172GHz测得最高倍频效率为 2.1%，在150～200GHz效率典型值为1.0%....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 33; no. 3; pp. 256 - 262
Main Author 姚常飞 周明 罗运生 林罡 李姣 许从海 寇亚男 吴刚 王继财
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016 2014
南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部,江苏南京210016%南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部,江苏南京,210016%南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京,210016
Subjects
GaAs肖特基二极管
倍频器
太赫兹
太赫兹
GaAs Schottky diode
multipliers
倍频器
Terahertz
GaAs肖特基二极管
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ISSN1001-9014
DOI10.3724/SP.J.1010.2014.00256

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Summary:基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层（缓冲层、外延层）材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6GHz测得最高倍频效率为2.7%，在147.4～155GHz效率典型值为1.3%.G波段二倍频器在172GHz测得最高倍频效率为 2.1%，在150～200GHz效率典型值为1.0%.
Bibliography:31-1577/TN
Terahertz, GaAs Schottky diode, multipliers
Terahertz Schottky varistor diode with cutoff frequency of 3.2THz was developed based on GaAs process of Nanjing Electronic Devices Institute （NEDI）. The performances of diodes are optimized by optimization of active layer （expital layer and buffer layer） doping, thickness, and Schottky contact area. Physical structure of the nonlinear diode was setup, and EM software and circuit software were combined together for impedance matching analysis. For the D-band doubler, highest measured multiply efficiency is 2.7% at 152.6GHz, and typical efficiency is 1.3% in 147.4～155GHz. For the G-band doubler, highest measured multiply efficiency is 2.1% at 172GHz, and typical efficiency is 1.0% in 150～200GHz.
YAO Chang-Fei, ZHOU Ming, LUO Yun-Sheng, LIN Gang, LI Jiao, XU Cong-Hai, KOU Ya-Nan, WU Gang, WANG Ji-Cai （1. Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, China; 2. Department of
ISSN:1001-9014
DOI:10.3724/SP.J.1010.2014.00256