极化效应对氮化镓型LED性能影响分析

对氮化镓（InGaN/GaN）型MQW（多量子阱）结构的蓝宝石衬底LED（发光二极管）受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数。可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能。...

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Bibliographic Details
Published inGuangtongxin Yanjiu pp. 46 - 48
Main Authors 张建亚, 黄勇林, 赵宇坤
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 《光通信研究》编辑部 01.01.2013
Subjects
极化电荷;LED性能;能带结构;电子空穴浓度
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ISSN1005-8788

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Summary:对氮化镓（InGaN/GaN）型MQW（多量子阱）结构的蓝宝石衬底LED（发光二极管）受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数。可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能。
ISSN:1005-8788