一种基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率测试方法 (2025)
本发明公开了一种基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，属于半导体器件抗辐射加固领域，解决了现有技术存在的直接测试电路失效阈值耗时长、成本高，材料屏蔽测试过度侧重本源属性而忽视实际空间环境等效性，无法准确获取沉积剂量导致工程转化存在系统性偏差，以及未建立材料屏蔽与电路功能退化的定量映射关系的问题。本发明通过获取未加固电路失效阈值，拟合剂量与电学参数关系，推导封装加固电路敏感区域沉积剂量及屏蔽率，进而得出抗总剂量辐射能力，提升了材料屏蔽性能评估精度，缩短测试时间，降低成本，为封装加固设计提供可靠依据，增强了集成电路在空间辐射环境中的可靠性。