A novel enhancement mode AIGaN/GaN high electron mobility transistor with split floating gates - 王辉 王宁 蒋苓利 林新鹏 赵海月 于洪宇 (中国物理B：英文版, 2017)
Keywords: AlGaN/GaN; FGS; HEMT; MIS结构; 增强型; 浮栅; 电荷面密度; 高电子迁移率晶体管