李萍, 秦彦军, 庞国旺, 唐玉柱, 张遥, 王鹏, & 刘晨曦. (2024). N和As掺杂二维GeC光电性质的第一性原理研究. 人工晶体学报, 53(3), 519-525. https://doi.org/10.3969/j.issn.1000-985X.2024.03.018
Chicago Style (17th ed.) Citation李萍, 秦彦军, 庞国旺, 唐玉柱, 张遥, 王鹏, and 刘晨曦. "N和As掺杂二维GeC光电性质的第一性原理研究." 人工晶体学报 53, no. 3 (2024): 519-525. https://doi.org/10.3969/j.issn.1000-985X.2024.03.018.
MLA (9th ed.) Citation李萍, et al. "N和As掺杂二维GeC光电性质的第一性原理研究." 人工晶体学报, vol. 53, no. 3, 2024, pp. 519-525, https://doi.org/10.3969/j.issn.1000-985X.2024.03.018.
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